Ki jan yo fabrike Silisyòm Carbide
Silisyòm carbure (SiC)se yon konpoze de Silisyòm ak kabòn. Li se li te ye pou dite li yo, fòs, ak rezistans nan mete ak korozyon. SiC ka jwenn nan yon varyete fòm, sòti nan cristalline a amorphe, epi li se souvan itilize nan endistri tankou semi-conducteurs, refractories, ak abrazif. Men, ki jan egzakteman SiC fabrike?
Gen plizyè metòd pou sentèz SiC, ki gen ladan pwosesis Acheson, pwosesis Lely, ak pwosesis Lely modifye. Pwosesis Acheson, ki te envante pa Edward Acheson an 1891, se metòd ki pi ansyen ak pi souvan itilize pou pwodiksyon SiC. Li enplike reyaksyon ant silice (SiO2) ak kabòn, ki chofe nan tanperati ki wo nan yon gwo fou elektrik. Reyaksyon an mennen nan fòmasyon nan SiC, osi byen ke lòt konpoze tankou diyoksid Silisyòm ak monoksid kabòn.
Pwosesis Lely, devlope pa Jan Anthony Lely nan ane 1950 yo, se yon teknik espesyalize pou kreye kristal SiC ki wo. Metòd la enplike chofe yon melanj de Silisyòm ak kabòn anlè pwen k ap fonn yo pou fòme yon likid, ki se dousman refwadi pou pèmèt kristal SiC yo grandi. Pwosesis sa a ka pwodwi gwo kristal sèl nan SiC ki trè pi bon kalite ak kalite siperyè. Yon lòt metòd pou sentèz SiC se pwosesis modifye Lely, ki enplike nan ajoute yon ti kantite bor oswa aliminyòm nan melanj Silisyòm-kabòn. Sa a rezilta nan fòmasyon nan yonSiCkristal ak yon konsantrasyon dopan ki pi wo, ki fè li itil pou aplikasyon elektwonik.
Genyen tou plizyè lòt teknik pou pwodwi SiC, tankou metòd depo chimik vapè (CVD) ak pwosesis sol-gel la. Metòd sa yo souvan itilize yo pwodwi fim mens nan SiC pou itilize nan endistri elektwonik la.
An konklizyon, SiC ka fabrike lè l sèvi avèk yon varyete metòd, yo chak ak pwòp avantaj ak dezavantaj li yo. Pwosesis Acheson rete metòd ki pi lajman itilize akòz senplisite li ak fyab, pandan y ap pwosesis Lely yo itilize pou kreye kristal bon jan kalite pou aplikasyon espesyalize. Avèk pwopriyete inik li yo ak pakèt itilizasyon, SiC kontinye ap yon materyèl enpòtan nan endistri modèn.
1224442 JIYGO REFRACTORY & ABRASIVE LIMITED |